GaSe硒化镓晶体 THZ太赫兹晶体

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

产品特点：

1.太赫兹振荡能达到有非常宽的频域；

2.GaSe硒化镓晶体 THZ太赫兹晶体抗损伤阈值高；

3.非线性系数大；

4.CO2激光的SHG；

5.多种尺寸可选；

6.客户导向的解决方案；

7.接受客户定制服务。

GaSe硒化镓晶体 THZ太赫兹晶体应用：

1.太赫兹时域系统；

2.太赫兹源晶体；

3.中远红外气体探测；

4.CO2激光的SHG；

5.THZ实验光源；

6.太赫兹成像。

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